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上海光机所计算光刻技术研究取得进展

 发布时间:2021-08-04 点击量:70

中国科学院:上海光机所计算光刻技术研究取得进展
    中科院网站6月10日消息,近日,中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边(Virtual Edge)与双采样率像素化掩模图形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光学邻近效应修正技术(Optical proximity correction, OPC),仿真结果表明该技术具有较高的修正效率。

    相关研究成果发表在Optics Express上。研究工作得到国家重大科技专项和上海市自然科学基金项目的支持

 

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